薄膜技術與薄膜材料

田民波

  • 出版商: 五南
  • 出版日期: 2007-08-26
  • 定價: $1,200
  • 售價: 9.0$1,080
  • 語言: 繁體中文
  • 頁數: 1216
  • ISBN: 9571148016
  • ISBN-13: 9789571148014
  • 相關分類: 材料科學

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商品描述

本書內容

  薄膜及微細加工技術的應用範圍極為廣泛,從大規模集成電路、電子元件、平板顯示器、信息記錄與儲存、MEMS、傳感器、太陽能電池,到材料的表面改性等,涉及高新技術產業的各個領域。本書內容包括真空技術基礎,薄膜材料及應用、薄膜成份與結構分析等5大部份,涉及薄膜技術與薄膜材料的各個方面。全書共17章,文字通俗易懂,並配有大量圖解,有利於對基本知識的理解、掌握與運用。對於從事相關行業的科技工作者與工程技術人員,本書具有極為難得的參考價值,同時也是其他感興趣讀者了解薄膜材料與技術的高新技術中應用的一本很好的入門書籍。

<目錄>

《新材料及在高技術中的應用叢書》序言
第1章 薄膜與新科技技術
  1.1. Internet與薄膜技術
  1.2. PDP─電漿電視
  1.3. 發展迅速的TFT-LCD
  1.4. 生物電腦與薄膜技術
  1.5. 正在進展中的人造大腦
  1.6. 微機械使重症患者起死回生
  1.7. 加速度感應器
  1.8. 實現MEMS的薄膜與微細加工技術
  1.9. 薄膜製作簡介
  1.10. 氣化源種種
  1.11. 薄膜加工簡介
  1.12. 原子的人工組裝
  1.13. 碳奈米管和富勒烯
第2章 真空技術基礎
  2.1. 真空的基本知識
  2.2. 真空的表徵
  2.3. 氣體分子與表面的相互作用
第3章 真空泵與真空計
  3.1. 真空泵
  3.2. 真空測量儀器─總壓力計
  3.3. 真空測量儀器─分壓力計
第4章 真空裝置的實際問題
  4.1. 排氣的基礎知識
  4.2. 材料的放氣
  4.3. 排氣時間的估算
  4.4. 實用的排氣系統
  4.5. 檢 漏
  4.6. 大氣溫度與濕度對裝置的影響
  4.7. 烘烤用的內部加熱器
  4.8. 化學活性氣體的排氣
第5章 氣體放電和低溫電漿
  5.1. 帶電粒子在電磁場中的運動
  5.2. 氣體原子的離子化和激發
  5.3. 氣體放電發展過程
  5.4. 低溫電漿概述
  5.5. 輝光放電
  5.6. 弧光放電
  5.7. 高頻放電
  5.8. 磁控放電
  5.9. 低壓力、高密度電漿放電
第6章 薄膜生長與薄膜結構
  6.1. 薄膜生長概述
  6.2. 吸附、表面擴散與凝結
  6.3. 薄膜的成核與生長
  6.4. 連續薄膜的形成
  6.5. 薄膜的生長過程與薄膜結構
  6.6. 非晶態薄膜
  6.7. 薄膜的基本性質
  6.8. 薄膜的黏附力和內應力
  6.9. 電遷移
第7章 表面結構與薄膜的磊晶生長
  7.1. 理想表面結構
  7.2. 潔淨表面結構
  7.3. 實際表面結構
  7.4. 薄膜的磊晶生長
  7.5. 影響薄膜磊晶的因素
第8章 薄膜沉積的共性問題
  8.1. 成膜與膜材料簡介
  8.2. 靶和膜的成分─如何得到所需要的膜成分
  8.3. 附著強度─如何提高膜層的附著強度
  8.4. 階梯塗佈,繞射著膜率,孔底塗佈
     -如何在大凹凸表面沉積厚度均勻的膜層
  8.5. 電漿及其在薄膜沉積中的作用
     -膜質的改善、新技術的開發
  8.6. 基材的傳輸機構
  8.7. 膜層中的針孔和超淨工作間
第9章 真空蒸鍍
  9.1. 概 述
  9.2. 源材的蒸發
  9.3. 蒸發源
  9.4. 蒸發源的蒸氣發射特性與基材配置
  9.5. 蒸鍍裝置及操作
  9.6. 合金膜的蒸鍍
  9.7. 化合物膜的蒸鍍
  9.8. 脈衝雷射熔射(PLA)
  9.9. 分子束磊晶技術
第10章 離子鍍和離子束沉積
  10.1. 離子鍍的原理
  10.2. 離子鍍的類型及特點
  10.3. 離子束沉積
  10.4. 離子束混合
第11章 濺鍍鍍膜
  11.1. 離子濺鍍
  11.2. 濺鍍鍍膜方式
  11.3. 磁控濺鍍源
  11.4. 濺鍍鍍膜的實例
第12章 化學氣相沉積(CVD)
  12.1. 熱氧化、氮化
  12.2. 熱CVD
  12.3. 電漿輔助CVD(PECVD)
  12.4. 光CVD(photo CVD)
  12.5. 有機金屬CVD(MOCVD)
  12.6. 金屬CVD
  12.7. 半球形晶粒多晶Si-CVD(HSG-CVD)
  12.8. 鐵電體的CVD
  12.9. 低介電常數薄膜的CVD
第13章 乾式蝕刻
  13.1. 乾式蝕刻與濕式蝕刻
  13.2. 電漿蝕刻─激發反應氣體蝕刻
  13.3. 反應性離子蝕刻(RIE)
  13.4. 反應性離子束蝕刻(RIBE)
  13.5. 氣體離化團束(GCIB)加工技術
  13.6. 微機械加工
  13.7. 乾式法蝕刻用離子源的開發
第14章 平坦化技術
  14.1. 平坦化技術的必要性
  14.2. 平坦化技術概要
  14.3. 不發生凹凸的薄膜生長
  14.4. 沉積同時進行加工防止凹凸發生的薄膜生長
  14.5. 薄膜生長後經再加工實現平坦化
  14.6. 埋入技術實例
  14.7. 化學機械研磨拋光(CMP)技術
  14.8. 氣體離化團束(GCIB)加工平坦化
  14.9. 鑲嵌法(damascene)佈線及平坦化
  14.10. 平坦化技術與光蝕刻法
第15章 薄膜材料
  15.1. 金屬薄膜材料
  15.2. 無機、陶瓷薄膜材料
  15.3. 有機、聚合物薄膜材料
  15.4. 半導體薄膜材料
第16章 薄膜材料的應用
  16.1. 表面改性
  16.2. 超硬膜用於切削刀具
  16.3. 能量變換薄膜與元件
  16.4. 感測器
  16.5. 半導體元件
  16.6. 記錄與存儲
  16.7. 平面顯示器
  16.8. 金剛石薄膜的應用
  16.9. 太陽能電池
  16.10. 發光元件
第17章 薄膜材料的評價特徵及物性測定
  17.1. 薄膜材料評價特徵的特殊性
  17.2. 薄膜材料評價特徵方法及其選擇
  17.3. 薄膜材料的評價特徵
  17.4. 相關技術和裝置
  17.5. 薄膜材料評價特徵舉例
  17.6. 薄膜材料的物性測定
附錄A 各種元素的溫度─蒸氣壓特性
附錄B 元素的離子化電位
附錄C 物理常數表
附錄D (新舊)常用計量單位對照與換算
附錄E 能量換算表、壓力換算表及氣體的性質表
附錄F 半導體大規模積體電路的發展預測
附錄G 顯示屏的圖像解析度等級、圖像解析度(像素數)和寬高比
附錄H 元素週期表
附錄I 薄膜技術與薄膜材料領域常用縮略語註釋