相關主題
商品描述
This guide to Static Random Access Memory (SRAM) bitcell design and analysis meets the nano-regime challenges for CMOS devices and such emerging devices as Tunnel FETs. Offers popular SRAM bitcell topologies that mitigate variability, plus exhaustive analysis.
商品描述(中文翻譯)
本指南針對靜態隨機存取記憶體(Static Random Access Memory, SRAM)位元單元的設計與分析,應對CMOS裝置及隧道場效應晶體管(Tunnel FETs)等新興裝置在奈米範疇內的挑戰。提供流行的SRAM位元單元拓撲結構,以減輕變異性,並進行全面的分析。