矽基氮化鎵外延材料與芯片
李國強
- 出版商: 科學出版
- 出版日期: 2025-01-01
- 售價: $948
- 語言: 簡體中文
- 頁數: 263
- ISBN: 7030809580
- ISBN-13: 9787030809582
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商品描述
本書共8章。其中，第1章介紹Si基GaN材料與芯片的研究意義，著重分析了GaN材料的性質和Si基GaN外延材料與芯片制備的發展歷程。第2章從Si基GaN材料的外延生長機理出發，依次介紹了GaN薄膜、零維GaN量子點、一維GaN納米線和二維GaN生長所面臨的技術難點及對應的生長技術調控手段。第3～7章依次介紹了Si基GaNLED材料與芯片、Si基GaN高電子遷移率晶體管、Si基GaN肖特基二極管、Si基GaN光電探測芯片和Si基GaN光電解水芯片的工作原理、技術瓶頸、制備工藝以及芯片性能調控技術，並介紹了上述各種Si基GaN芯片的應用與發展趨勢。第8章對Si基GaN集成芯片技術進行了闡述。 本書可用作高等學校半導體、微電子、光電子、材料科學與工程等學科專業的教輔用書；也可供上述相關領域，特別是Si基GaN材料及芯片領域的科研工作者及從業人員參考。
目錄大綱
《半導體科學與技術叢書》出版說明
序
前言
第1章 Si基GaN材料與芯片的研究意義
1.1 半導體材料的分類
1.2 GaN的結構與性質
1.3 GaN制備的難點
1.4 Si基GaN材料與芯片
參考文獻
第2章 Si基GaN材料的外延生長
2.1 Si基GaN薄膜的外延生長
2.1.1 Si基GaN外延薄膜生長的科學技術難題
2.1.2 GaN薄膜生長的基本模型.
2.1.3 橫向外延過生長
2.1.4 插入層技術
2.1.5 低溫生長技術
2.1.6 應力補償技術
2.2 零維GaN量子點的生長技術
2.2.1 Si基GaN量子點的優勢及生長難點
2.2.2 緩沖層生長技術
2.2.3 自組織生長技術
2.2.4 選區生長技術
2.3 一維GaN納米線的生長技術
2.3.1 一維GaN納米線的優勢及生長難點
2.3.2 催化劑輔助生長技術
2.3.3 掩模法選區生長技術
2.3.4 自組裝生長技術
2.4 二維GaN的生長技術
2.4.1 二維GaN的優勢及生長難點
2.4.2 石墨烯封裝的遷移增強技術
2.4.3 模板技術
2.4.4 表面限域生長技術
參考文獻
第3章 Si基GaN LED材料與芯片
3.1 引言
3.2 GaNLED芯片工作原理
3.3 Si基GaN LED材料的發展意義
3.3.1 Si基GaN LED的優勢
3.3.2 Si基GaN LED面臨的瓶頸
3.4 Si基GaN LED材料的生長與優化
3.4.1 V形坑調控技術
3.4.2 超晶格應力釋放層
3.4.3 InGaN/GaN多量子阱的優化
3.4.4 電子阻擋層
3.4.5 p 型GaN的設計
3.5 Si基大功率GaN LED芯片的制備工藝
3.5.1 各類結構性能對比
3.5.2 Si基GaN LED芯片的工藝流程
3.5.3 分割線電極技術
3.5.4 三維通孔電極技術
3.5.5 電流阻擋層
3.5.6 鏡面結構
3.5.7 金屬鍵合
3.5.8 激光剝離技術
3.5.9 表面粗化
3.6 Si基GaN LED芯片的應用及發展趨勢
3.6.1 照明及其發展趨勢
3.6.2 micro/mini-LED及全彩顯示
3.6.3 Si基紫外LED
3.6.4 可見光通信應用及其發展趨勢
參考文獻
第4章 Si基GaN高電子遷移率晶體管
4.1 引言
4.2 GaNHEMT芯片的工作原理及制備工藝
4.2.1 GaN異質結及其極化效應
4.2.2 GaNHEMT芯片的工作原理
4.2.3 GaNHEMT芯片的基本工藝技術
4.3 GaNHEMT芯片分類及應用
4.3.1 耗盡型GaN HEMT芯片
4.3.2 增強型GaN HEMT芯片
4.3.3 GaNHEMT芯片的性能參數
4.4 Si基GaN HEMT芯片性能提升技術
4.4.1 Si基GaN HEMT芯片性能提升面臨的難點
4.4.2 異質外延結構調控技術
4.4.3 Si基GaN HEMT芯片關鍵技術
4.5 Si基GaN HEMT芯片應用及發展趨勢
4.5.1 電力電子應用及其發展趨勢
4.5.2 射頻應用及其發展趨勢
參考文獻
第5章 Si基GaN肖特基二極管
5.1 引言
5.2 Si基GaN SBD的原理及性能參數
5.2.1 工作原理
5.2.2 性能參數
5.3 Si基GaN SBD芯片性能調控
5.3.1 Si基GaN SBD芯片的優勢及面臨的瓶頸
5.3.2 Si基GaN SBD芯片結構設計
5.3.3 Si基GaN SBD關鍵工藝
5.4 Si基GaN SBD的應用及發展趨勢
5.4.1 電源管理
5.4.2 射頻前端
5.4.3 發展趨勢
參考文獻
第6章 Si基GaN光電探測芯片
6.1 引言
6.2 Si基GaN光電探測芯片的工作原理及制備工藝
6.2.1 Si基GaN光電探測芯片的工作原理
6.2.2 Si基GaN光電探測芯片的性能參數
6.2.3 Si基GaN光電探測芯片的制備工藝
6.3 Si基GaN光電探測芯片性能調控技術
6.3.1 Si基GaN光電探測芯片面臨的瓶頸
6.3.2 局域表面等離激元共振技術
6.3.3 新型異質結技術
6.3.4 低維納米材料技術
6.4 Si基GaN光電探測芯片的應用
6.4.1 光通信
6.4.2 光學成像
參考文獻
第7章 Si基GaN光電解水芯片
7.1 引言
7.2 Si基GaN光電解水芯片的工作原理與結構參數
7.2.1 光電解水芯片的工作原理
7.2.2 Si基GaN光電解水芯片的結構
7.2.3 Si基GaN光電解水芯片的性能參數
7.3 Si基GaN光電解水芯片的發展意義
7.3.1 Si基GaN光電解水芯片的優勢
7.3.2 Si基GaN光電解水芯片面臨的瓶頸
7.4 Si基GaN光電解水芯片的制備及性能
7.4.1 Si基GaN光電解水芯片的制備工藝
7.4.2 低失配外延技術
7.4.3 摻雜工程
7.4.4 異質結工程
7.4.5 表面改性技術
7.5 Si基GaN光電解水芯片的應用
7.5.1 汙染物分解
7.5.2 海水電解
7.5.3 PV-PEC耦合
參考文獻
第8章 Si基GaN集成芯片
8.1 引言
8.2 Si基GaN集成芯片工作原理及工藝
8.3 Si基GaN集成芯片的優勢及應用
8.3.1 Si基GaN數字芯片
8.3.2 Si基GaN模擬芯片
8.4 Si基GaN集成芯片的發展趨勢
參考文獻
《半導體科學與技術叢
