半導體工程導論 Guide to Semiconductor Engineering

《半導體工程導論》第1章概述了半導體區別於其他固體的基本物理特性，
這些特性是理解半導體器件工作原理的必要條件。
第2章回顧了半導體材料，包括無機、化合物、有機半導體材料。
同時，第2章也介紹了有代表性的絕緣體和導體的材料，
它們是構成可以工作的半導體器件和電路所必不可少的組成部分。
而這些器件和電路是在第3章概述的。第4章是關於半導體工藝的基礎知識，
並且用通俗的語言討論了半導體製造中使用的方法、設備、工具和介質。
在概述了半導體工藝技術之後，第5章討論了主流半導體製造工藝中涉及的各單步工藝。
第6章簡要概述了半導體材料和工藝表徵的基本原理。
《半導體工程導論》適合半導體工程及相關領域的學生、研究人員和專業人士閱讀。

前言
第1章 半導體特性
章節概述
1.1固體的導電性
1.1.1原子間的價鍵與導電性
1.1.2能帶結構與導電性
1.2載流子
1.2.1電子與空穴
1.2.2產生與復合過程
1.2.3載流子的運動
1.3半導體以及外界的影響
1.3.1半導體和電場以及磁場
1.3.2半導體和光
1.3.3半導體和溫度
1.4納米尺度半導體
關鍵詞
第2章 半導體材料
章節概述
2.1固體的晶體結構
2.1.1晶格
2.1.2 結構缺陷
2.2半導體材料系統的構成元素
2.2.1表面與界面
2.2.2薄膜
2.3無機半導體
2.3.1單質半導體
2.3.2化合物半導體
2.3.3納米無機半導體
2.4材料選擇標準
2.5有機半導體
2.6體單晶的形成
2.6.1CZ法生長單晶
2.6.2其他方法
2.7薄膜單晶的形成
2.7.1外延沉積
2.7.2晶格匹配和晶格失配的外延沉積
2.8襯底
2.8.1半導體襯底
2.8.2非半導體襯底
2.9薄膜絕緣體
2.9.1一般性質
2.9.2多用途薄膜絕緣體
2.9.3專用薄膜絕緣體
2.10薄膜導體
2.10.1金屬
2.10.2金屬合金
2.10.3非金屬導體
關鍵詞
第3章 半導體器件及其使用
章節概述
3.1半導體器件
3.2構建半導體器件
3.2.1歐姆接觸
3.2.2勢壘
3.3兩端器件：二極管
3.3.1二極管
3.3.2金屬-氧化物-半導體（MOS）電容器
3.4三端器件：晶體管
3.4.1晶體管概述
3.4.2晶體管種類
3.4.3MOSFET的工作原理
3.4.4互補金屬-氧化物-半導體（CMOS）
3.4.5MOSFET的發展
3.4.6薄膜晶體管（TFT）
3.5集成電路
3.6圖像顯示和圖像傳感器件
3.7微機電系統（MEMS）與傳感器
3.7.1MEMS/NEMS器件
3.7.2傳感器
3.8可穿戴及可植入半導體器件系統
關鍵詞
第4章 工藝技術
章節概述
4.1工藝角度看襯底
4.1.1晶圓襯底
4.1.2大面積襯底
4.1.3柔性襯底
4.1.4關於襯底的進一步討論
4.2液相（濕法）工藝
4.2.1水
4.2.2特殊化學試劑
4.2.3晶圓乾燥
4.3氣相（干法）工藝
4.3.1氣體
4.3.2真空
4.4半導體製造中的工藝
4.4.1熱處理工藝
4.4.2等離子體工藝
4.4.3電子和離子束工藝
4.4.4化學工藝
4.4.5光化學工藝
4.4.6化學機械工藝
4.5污染控制
4.5.1污染物
4.5.2潔淨環境
4.6工藝整合
關鍵詞
第5章 製造工藝
章節概述
5.1圖案定義方式
5.1.1自上而下工藝
5.1.2自下而上工藝
5.1.3圖案的剝離工藝
5.1.4機械掩模
5.1.5印刷和印章轉移
5.2自上而下工藝步驟
5.3表面處理
5.3.1表面清洗
5.3.2表面改性
5.4增材工藝
5.4.1增材工藝的特點
5.4.2氧化生長薄膜：熱氧化矽法
5.4.3物理氣相沉積（PVD）
5.4.4化學氣相沉積（CVD）
5.4.5物理液相沉積（PLD）
5.4.6電化學沉積（ECD）
5.4.73D打印
5.5平面圖案轉移
5.5.1平面圖案轉移技術的實現
5.5.2光刻
5.5.3光刻中的曝光技術及工具
5.5.4電子束光刻
5.6減材工藝
5.6.1刻蝕工藝的特點
5.6.2濕法刻蝕
5.6.3蒸氣刻蝕
5.6.4干法刻蝕
5.6.5去膠
5.7選擇性摻雜
5.7.1擴散摻雜
5.7.2離子注入摻雜
5.8接觸和互連工藝
5.8.1接觸
5.8.2互連
5.8.3大馬士革工藝（鑲嵌工藝）
5.9組裝和封裝工藝
5.9.1概述
5.9.2封裝工藝
5.9.3半導體封裝技術概況
關鍵詞
第6章 半導體材料與工藝表徵
章節概述
6.1目的
6.2方法
6.3應用舉例
關鍵詞
參考文獻