相關主題
商品描述
本書從光刻機到下一代光刻技術，從光刻膠材料到多重圖形化技術，全面剖析每一步技術革新如何推動半導體產業邁向納米級精細加工的新高度。本書共14章，內容包括光掩膜、下一代光刻技術發展趨勢、EUV掩膜技術、納米壓印技術、電子束刻蝕技術與設備開發、定向自組裝（DSA）技術、光刻膠材料的發展趨勢、含金屬光刻膠材料技術、多重圖形化中的沈積和刻蝕技術、光散射測量技術、掃描探針顯微鏡技術、基於小角度X射線散射的尺寸和形狀測量技術、MEMS技術的微縮圖形化應用、原子級低損傷高精度刻蝕等。 本書適合有一定半導體相關知識的從業者閱讀。
目錄大綱
主編·作者名單
緒言半導體微縮圖形化技術與光刻技術
引言
微縮化的指導原則及其效果
光刻技術的發展及其困難
下一代光刻技術及未來發展
第1章 光掩膜
1.1 引言
1.2 光掩膜的起源
1.3 光掩膜的結構
1.4 光掩膜的製造工藝
1.5 掩膜版的挑戰及未來展望
第2章 下一代光刻技術發展趨勢
2.1 下一代光刻技術
2.2 EUV光刻技術
2.3 電子束刻蝕技術
2.4 納米壓印技術
2.5 定向自組裝（Directed Self Assembly）技術
第3章 EUV掩膜技術
3.1 EUV掩膜版製造技術
3.2 掩膜技術
第4章 納米壓印技術
4.1 納米壓印設備
4.2 納米壓印模板技術
第5章 電子束刻蝕技術與設備開發
5.1 可變形電子束刻蝕設備
5.2 多電子束刻蝕設備
第6章 定向自組裝（DSA）技術
6.1 引言
6.2 DSA技術中聚合物的自組裝
6.3 DSA工藝的基本步驟
6.4 DSA工藝相關材料
6.5 DSA工藝的模擬
6.6 DSA技術的優勢和挑戰
6.7 結語
第7章 光刻膠材料的發展趨勢
7.1 引言
7.2 光刻膠技術的轉折點
7.3 曝光波長的縮短和光刻膠的光吸收
7.4 顯影液的演變
7.5 感光膠的感光機制演變及對比度提高
7.6 分辨率限制與分子尺寸的考察
7.7 結語
第8章 含金屬光刻膠材料技術
8.1 初期的含金屬光刻膠
8.2 EUV含金屬光刻膠的特點
8.3 康奈爾大學、昆士蘭大學、EIDEC的含金屬光刻膠
8.4 含金屬光刻膠的構成
8.5 俄勒岡州立大學、Inpria公司、IMEC的含金屬光刻膠
8.6 其他含金屬光刻膠
8.7 含金屬光刻膠的功能提升
第9章 多重圖形化中的沈積和刻蝕技術
9.1 多重圖形化中沈積和刻蝕技術的作用
9.2 沈積技術
9.3 刻蝕技術
9.4 結語
第10章 光散射測量技術
10.1 引言
10.2 半導體光刻技術
10.3 反射光測量技術
10.4 散射計
10.5 優化方法
10.6 光散射測量分析的實例
10.7 結語
第11章 掃描探針顯微鏡技術
11.1 引言
11.2 AFM的原理
11.3 各種SPM技術
11.4 SPM的特點
11.5 SPM的應用
11.6 結語
第12章 基於小角度X射線散射的尺寸和形狀測量技術
12.1 引言
12.2 X射線散射
12.3 小角度X射線散射的測量方法
12.4 測量示例
12.5 結語
第13章 MEMS技術的微縮圖形化應用
13.1 引言
13.2 EUV光源濾波器
13.3 基於有源矩陣納米矽電子源的超大規模平行電子束刻蝕
13.4 結語
第14章 先進刻蝕技術概要?原子級低損傷高精度刻蝕
14.1 引言
14.2 中性粒子束生成裝置
14.32 2nm節點之後的縱向鰭式場效應晶體管
14.4 無缺陷納米結構及其特性
14.5 原子層面的錶面化學反應控制
14.6 結語
