三維集成電路物理設計

艾達·托德裏-薩尼亞爾

三維集成電路物理設計

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商品描述

本書系統地討論了3D IC的物理設計，來自學術界、研究實驗室和工業界的一批傑出專家在每一章中針對具體的物理設計主題進行了深入闡述。本書共17章，分為4個部分：第1部分共包含4章，首先概述傳統2D電路面臨的物理設計挑戰；第2部分共包含4章，主要討論3D集成的物理設計方法；第3部分共包含5章，主要討論3D集成的可靠性問題；第4部分共包含4章，主要討論3D物理設計的CAD設計工具和未來發展方向。 專門講解3D IC物理設計的書籍很少，本書是一本全面分析3D IC物理設計的書籍，非常適合從事電子、光電子、MEMS及AI等領域中關於3D集成技術工作的工程師、科研人員和技術管理人員閱讀，也可以作為高等院校相關專業高年級本科生和研究生的教材和參考用書。

作者簡介

陳國成，於1999年在馬來亞大學獲得電氣工程學士學位。隨後，他於2001年通過新加坡-麻省理工學院聯盟（SMA）項目，在新加坡國立大學獲得先進材料工程碩士學位。此後，他加入新加坡微電子研究所擔任研究工程師，從事應變矽/非應變矽鍺異質結器件的工藝集成研究。2001年秋季，他開始在馬薩諸塞州劍橋市的麻省理工學院攻讀博士學位，並於2006年獲得電氣工程博士學位。2003—2005年，他獲得了應用材料公司研究生獎學金。2003年，他在俄勒岡州的英特爾公司實習。2006年，他作為李光耀博士後研究員加入新加坡南洋理工大學，並自2008年7月起擔任新加坡南洋理工大學助理教授。2014年2月，他晉升為副教授（終身教職）。他的研究興趣包括半導體工藝技術與器件物理學。目前，他致力於三維集成電路（3D IC）的工藝技術研究。他主編了Wafer Level 3D ICs Process Technology和3D Integration of VLSI Systems兩部專著，並在3D技術領域發表了大量論文。他是國際晶圓鍵合會議、IEEE-3DIC、IEEE-EPTC、IEEE-ECTC、ECS-WaferBonding、SSDM及ISTDM的委員會成員。他擔任愛思唯爾出版社的Microelectron-ics Journal（簡稱MEJ）的副編輯，是IEEE會員。

目錄大綱

譯者序
原書前言
致謝
編著者介紹
第1部分 3D集成概述
第1章 2.5D/3D IC驅動因素、技術、應用和展望
1.1 背景與引言
1.2 驅動因素
1.2.1 系統性能的可持續增長
1.2.2 技術瓶頸及3D集成的解決方案
1.2.3 異構性
1.3 3D IC的技術方案
1.3.1 分類
1.3.2 單片方法
1.3.3 組裝方法
1.3.4 ITRS對3D互連技術的定義
1.4 技術平臺和技術路線
1.4.1 承載晶圓鍵合
1.4.2 晶圓背面減薄
1.4.3 垂直通孔和凸點形成
1.4.4 對準
1.4.5 鍵合
1.4.6 承載晶圓剝離
1.4.7 2.5D矽中介層
1.4.8 演示樣品
1.5 應用、現狀和展望
1.5.1 矽光子學
1.5.2 ITRS 2.0
致謝
參考文獻
第2章 3D集成電路物理設計問題概述
2.1 引言
2.2 3D物理設計面臨的挑戰概述
2.3 3D電源傳輸網絡面臨的挑戰與解決方案
2.4 3D時鐘傳輸網絡面臨的挑戰與解決方案
2.5 3D布局和布線面臨的挑戰與解決方案
……
第2部分 3D集成的物理設計方法
第3部分 3D集成的可靠性問題
第4部分 CAD設計工具和3D物理設計的未來發展方向

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