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商品描述
本書以半導體工藝和器件的仿真為主線，按照由簡入繁、由低及高的原則循序深入，從仿真的數理基礎及對TCAD/WebTCAD的認識出發、以半導體工藝基礎及器件基礎為知識儲備，引出對基於WebTCAD 的二維工藝仿真及二維器件仿真的詳細介紹，並在此基礎上介紹WebTCAD的實例庫及具體應用，從而達到能熟練使用WebTCAD來進行半導體工藝和器件仿真的目的。本書主要內容包括仿真基礎、仿真原理、TCAD/WebTCAD介紹、半導體工藝基礎、半導體器件基礎、基於WebTCAD 的二維工藝仿真、基於WebTCAD 的二維器件仿真，以及WebTCAD仿真實例等。
目錄大綱
目 錄
第1章 TCAD仿真概述 1
1.1 TCAD 1
1.1.1 半導體技術概況 1
1.1.2 TCAD仿真工具概況 2
1.1.3 TCAD仿真工具發展概況 3
1.2 Cogenda WebTCAD 4
1.2.1 珂晶達（Cogenda）公司簡介 4
1.2.2 Cogenda WebTCAD概況 5
第2章 半導體數值仿真基礎 6
2.1 有限體積法 6
2.1.1 有限體積法基本原理 6
2.1.2 有限體積法基本思路 7
2.2 網格劃分 8
2.2.1 網格劃分簡介 8
2.2.2 網格劃分分類 9
2.2.3 3D網格劃分 10
2.2.4 網格無關性 11
2.3 TCAD物理模型 11
2.3.1 漂移擴散模型 11
2.3.2 改進的漂移擴散模型 12
2.3.3 能量平衡模型 13
2.3.4 密度梯度模型 14
2.3.5 帶狀結構模型 15
2.4 邊界條件 17
2.5 求解 18
第3章 半導體工藝基礎 20
3.1 半導體工藝概況 20
3.2 單項制備工藝 21
3.2.1 擴散 21
3.2.2 離子註入 25
3.2.3 氧化 28
3.2.4 光刻 31
3.2.5 刻蝕 38
3.2.6 沈積 41
第4章 半導體器件基礎 46
4.1 能帶理論與場效應原理 46
4.1.1 能帶理論 46
4.1.2 場效應原理 47
4.2 常用半導體器件 48
4.2.1 PN結 48
4.2.2 PN結二極管 54
4.2.3 雙極型晶體管（BJT） 58
4.2.4 金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET） 63
第5章 WebTCAD二維工藝仿真 68
5.1 WebTCAD二維工藝仿真介紹 68
5.1.1 Cogenda WebTCAD二維工藝仿真介紹 69
5.1.2 Genes仿真器介紹 71
5.2 WebTCAD單項工藝仿真 71
5.2.1 離子註入 71
5.2.2 擴散 73
5.2.3 沈積 75
5.2.4 光刻 77
5.2.5 刻蝕 79
5.2.6 外延 82
5.2.7 淺槽隔離（STI） 84
第6章 WebTCAD二維器件仿真 86
6.1 二維器件仿真介紹 86
6.2 Cogenda WebTCAD二維器件仿真介紹 87
6.2.1 Genius仿真器介紹 87
6.2.2 器件結構及輸入/輸出 87
6.2.3 輸出和探測 94
6.3 WebTCAD二維器件仿真流程 96
6.4 WebTCAD二維器件仿真結果分析 109
6.4.1 直流特性 110
6.4.2 仿真結果查看 110
第7章 WebTCAD仿真實例 121
7.1 NPN型BJT仿真 121
7.2 部分耗盡型SOI P-MOSFET仿真 171
參考文獻 222
