功率集成電路基礎

楊媛，西安理工大學二級教授、博士生導師，電子科學與技術一級博士學科帶頭人，微電子科學與工程專業負責人，陜西省教學名師，陜西省科技創新團隊負責人，陜西省新能源功率半導體器件及智能系統工程技術研究中心主任，陜西省智能物聯網集成電路與系統引智基地主任，國家級一流本科課程負責人，陜西省課程思政精品課程負責人。長期從事半導體集成電路教學和研究工作，主持國家級重點項目1項、國家自然科學基金項目4項以及陜西省重點研發項目、企業重大成果轉化等科研項目40余項。獲陜西省科學技術獎一等獎1項、二等獎3項，西安市科學技術獎一等獎2項，陜西省高等學校科學技術一等獎2項，陜西省高等教育教學成果特等獎1項、一等獎2項、二等獎1項。先後在IEEE Transaction on Power Electronics等期刊發表論文200余篇，授權國家發明專利20余項，出版教材3部、專著2部，並受到國家科學技術學術著作出版基金資助。

第1章 概述
1.1 功率集成電路的概念
1.1.1 功率集成電路的基本概念
1.1.2 功率集成電路的分類
1.1.3 功率集成電路的特點
1.2 功率集成電路的發展歷程
1.3 功率集成電路的挑戰和機遇
習題
挑戰性拓展
第2章 功率集成器件
2.1 功率集成器件概述
2.1.1 定義與分類
2.1.2 關鍵問題
2.1.3 技術趨勢
2.2 功率MOS集成器件
2.2.1 傳統MOSFET
2.2.2 橫向雙擴散MOSFET
2.2.3 縱向雙擴散MOSFET
2.2.4 高壓CMOS的集成結構
2.3 電場調制LDMOS器件
2.3.1 電場調制技術
2.3.2 RESURF LDMOS
2.3.3 超結LDMOS
2.4 橫向IGBT器件
2.4.1 平面柵LIGBT
2.4.2 RESURF LIGBT
2.4.3 溝槽柵LIGBT
2.4.4 功率集成器件特性評價
2.5 SOI基功率集成器件
2.5.1 SOI襯底及耐壓原理
2.5.2 SOI RESURF器件
2.5.3 介質場增強SOI器件
技術前沿：GaN HEMT功率集成器件
習題
挑戰性拓展
第3章 功率集成電路工藝
3.1 典型BCD工藝
3.1.1 BCD工藝簡介
3.1.2 BCD工藝中的核心器件
3.1.3 BCD工藝中的關鍵技術
3.1.4 BCD工藝流程
3.2 其他BCD工藝
3.2.1 SOI BCD工藝
3.2.2 集成LIGBT器件的BCD工藝
技術前沿：GaN基單片功率集成技術
習題
挑戰性拓展
第4章 功率器件驅動電路
4.1 柵控功率器件及開關特性
4.1.1 結構及工作原理