功率集成電路基礎

楊媛郭仲傑楊兆年

出版商: 電子工業
出版日期: 2025-11-01
售價: $354
語言: 簡體中文
頁數: 220
ISBN: 7121516683
ISBN-13: 9787121516689
相關分類: 電路學 Electric-circuits

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商品描述

本書以功率集成電路的“ 功率器件—制造工藝—電路單元—芯片設計”為主線，結合技術發展現狀，首先介紹功率集成電路中的特有器件LDMOS與LIGBT的結構、原理和特性，進而闡述典型的功率集成電路模塊的原理、設計方法及難點問題，包括高壓柵極驅動集成電路、電源管理集成電路等；介紹智能功率模塊和功率集成電路的可靠性。本書註重實踐性和前沿性，每部分電路均增加了仿真實例，每章後提供習題和挑戰性拓展，並融入數字化思政元素，強材的“兩性一度”。本書提供配套的電子課件PPT、習題參考答案、教學大綱、仿真電路圖、軟件操作文檔等。本書可作為高等院校相關專業本科生和研究生的教材，以及從事功率集成電路設計的專業技術人員的參考用書。

目錄大綱

第1章概述
1.1 功率集成電路的概念
1.1.1 功率集成電路的基本概念
1.1.2 功率集成電路的分類
1.1.3 功率集成電路的特點
1.2 功率集成電路的發展歷程
1.3 功率集成電路的挑戰和機遇
習題
挑戰性拓展
第2章功率集成器件
2.1 功率集成器件概述
2.1.1 定義與分類
2.1.2 關鍵問題
2.1.3 技術趨勢
2.2 功率MOS集成器件
2.2.1 傳統MOSFET
2.2.2 橫向雙擴散MOSFET
2.2.3 縱向雙擴散MOSFET
2.2.4 高壓CMOS的集成結構
2.3 電場調制LDMOS器件
2.3.1 電場調制技術
2.3.2 RESURF LDMOS
2.3.3 超結LDMOS
2.4 橫向IGBT器件
2.4.1 平面柵LIGBT
2.4.2 RESURF LIGBT
2.4.3 溝槽柵LIGBT
2.4.4 功率集成器件特性評價
2.5 SOI基功率集成器件
2.5.1 SOI襯底及耐壓原理
2.5.2 SOI RESURF器件
2.5.3 介質場增強SOI器件
技術前沿：GaN HEMT功率集成器件
習題
挑戰性拓展
第3章功率集成電路工藝
3.1 典型BCD工藝
3.1.1 BCD工藝簡介
3.1.2 BCD工藝中的核心器件
3.1.3 BCD工藝中的關鍵技術
3.1.4 BCD工藝流程
3.2 其他BCD工藝
3.2.1 SOI BCD工藝
3.2.2 集成LIGBT器件的BCD工藝
技術前沿：GaN基單片功率集成技術
習題
挑戰性拓展
第4章功率器件驅動電路
4.1 柵控功率器件及開關特性
4.1.1 結構及工作原理