高電子遷移率晶體管建模理論與實踐
高建軍
- 出版商: 電子工業
- 出版日期: 2025-12-01
- 定價: $768
- 售價: 7.9 折 $606
- 語言: 簡體中文
- 頁數: 292
- ISBN: 7121517493
- ISBN-13: 9787121517495
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商品描述
GaAs及有關化合物半導體已經成為繼矽之後最重要的半導體材料，其商業應用包括移動通信、無線通信、光纖通信、全球定位系統、直播衛星系統、自動防撞系統、高頻雷達等。本書是作者在微波和光通信技術領域多年工作、學習、研究和教學過程中獲得的知識和經驗的總結，內容包括微波網絡信號矩陣技術和微波網絡噪聲矩陣技術，以及以此為基礎的微波射頻高電子遷移率晶體管建模和測試技術。微波射頻場效應晶體管的小信號等效電路模型、大信號非線性等效電路模型和噪聲等效電路模型，以及等效電路模型的參數提取技術是本書的重點內容。
目錄大綱
第1章 緒論
1.1 III-V族化合物半導體器件應用前景
1.2 射頻微波器件和電路的計算機輔助設計
1.3 本書的目的和結構
參考文獻
第2章 高電子遷移率晶體管的工作原理
2.1 HEMT的物理結構
2.2 半導體器件的射頻特性
2.3 半導體器件建模方法
2.4 大信號模型和小信號模型
2.5 太赫茲頻段電路設計
2.5.1 低噪聲放大器設計實例
2.5.2 功率放大器的設計實例
2.6 本章小結
參考文獻
第3章 半導體器件建模基礎
3.1 二端口網絡的信號參數矩陣
3.1.1 阻抗參數矩陣
3.1.2 導納參數矩陣
3.1.3 混合參數矩陣
3.1.4 ABCD參數矩陣
3.1.5 二端口網絡信號參數之間的關系
3.2 微波網絡的S參數和T參數矩陣
3.2.1 S參數矩陣
3.2.2 T參數矩陣
3.3 微波網絡噪聲矩陣技術
3.3.1 阻抗噪聲相關矩陣
3.3.2 導納噪聲相關矩陣
3.3.3 ABCD參數噪聲相關矩陣
3.3.4 噪聲相關矩陣之間的關系
3.3.5 二端口網絡噪聲參數之間的關系
3.4 二端口網絡的互聯
3.4.1 二端口網絡的串聯
3.4.2 二端口網絡的並聯
3.4.3 二端口網絡的級聯
3.5 三端口網絡和二端口網絡之間的關系
3.5.1 三端口網絡和二端口網絡S參數的關系
3.5.2 三端口網絡和二端口網絡噪聲參數的關系
3.6 典型的π型網絡和T型網絡
3.7 本章小結
參考文獻
第4章 HEMT小信號等效電路模型和參數提取
4.1 HEMT小信號等效電路模型
4.1.1 HEMT小信號等效電路模型構建
4.1.2 HEMT小信號等效電路模型的特征頻率和最大振蕩頻率
4.1.3 HEMT版圖設計
4.2 焊盤電容提取技術
4.2.1 使用測試結構法提取焊盤電容
4.2.2 使用截止條件法提取焊盤電容
4.3 寄生電感提取技術
4.3.1 使用測試結構法提取寄生電感
4.3.2 使用正向偏置cold-FET法提取寄生電感
4.3.3 使用反向截止偏置法提取寄生電感
4.4 寄生電阻提取技術
4.4.1 使用直流測試法提取寄生電阻
4.4.2 使用cold-FETS參數法提取寄生電阻
4.4.3 有源偏置法
4.4.4 關於負阻的討論
4.5 本征元件提取技術
4.5.1 本征元件隨頻率變化
4.5.2 本征元件和直流偏置之間的關系
4.6 改進的反向截止法
4.7 小信號等效電路模型參數和柵寬的比例關系
4.8 半分析模型參數提取技術
4.9 DC/AC色散效應
4.10 InPHEMT模型實踐
4.11 本章小結
參考文獻
第5章 HEMT非線性等效電路模型及參數提取
5.1 非線性模型分類
5.1.1 非線性物理基模型
5.1.2 非線性測量基模型
5.1.3 非線性經驗分析模型
5.2 商用非線性等效電路模型
5.2.1 Statz非線性等效電路模型
5.2.2 TriQuint非線性等效電路模型
5.2.3 Curtice非線性等效電路模型
5.2.4 Tajima非線性等效電路模型
5.2.5 Materka非線性等效電路模型
5.2.6 Angelov非線性等效電路模型
5.2.7 EEHEMT非線性等效電路模型
5.3 非線性等效電路模型實踐
5.3.1 改進的Statz模型
5.3.2 改進的Curtice模型
5.3.3 非線性等效電路模型的符號定義方法
5.4 本章小結
參考文獻
第6章 高電子遷移率晶體管噪聲等效電路模型
6.1 場效應晶體管噪聲模型綜述
6.1.1 FUKUI噪聲模型
6.1.2 PUCEL噪聲模型
6.1.3 Pospieszalski噪聲溫度模型
6.1.4 考慮柵極漏電流影響的噪聲模型
6.1.5 考慮柵漏電阻影響的噪聲模型
6.1.6 改進的Pospieszalski噪聲溫度模型
6.2 噪聲模型參數和器件柵寬之間的比例關系
6.2.1 噪聲參數的表達式
6.2.2 噪聲參數和器件柵寬的比例關系
6.2.3 噪聲模型參數提取方法
6.2.4 太赫茲器件模型實踐
6.3 噪聲模型參數和器件柵長之間的比例關系
6.4 HEMT噪聲參數提取技術
6.4.1 基於調諧器原理的噪聲參數提取技術
6.4.2 基於50Ω噪聲測量系統的噪聲參數提取方法
6.5 共柵、共漏和共源結構的場效應管
6.5.1 信號參數之間的關系
6.5.2 噪聲參數之間的關系
6.5.3 理論驗證和實驗結果
6.6 本章小結
參考文獻
第7章 神經網絡建模技術
7.1 人工神經網絡建模方法
7.1.1 感知機神經網絡
7.1.2 多層感知機神經網絡
7.1.3 誤差反向傳播學習算法
7.1.4 徑向基函數網絡
7.2 神經網絡基線性建模技術
7.3 神經網絡基非線性模型建模技術
7.3.1 神經網絡基PHEMT非線性模型建模技術
7.3.2 神經網絡基非線性模型訓練方法
7.3.3 神經網絡基非線性模型訓練結果
7.4 神經網絡微分和積分建模技術
7.4.1 神經網絡建模技術目前存在的問題
7.4.2 三層感知機神經網絡微分技術
7.4.3 單輸入三層感知機神
