商品描述
本書詳細介紹了半導體芯片制造中的核心技術——光刻技術。主要內容包括驅動光學光刻的基本方程和參數的相關知識、曝光系統和成像基礎理論、光刻系統組件、工藝和優化技術等；深入分析了光刻技術的發展前景，詳述了浸沒式光刻與極紫外（EUV）光刻。 本書（第二版）特別融合了作者在研究、教學以及世界級大批量制造方面的獨特經驗，增加了關於接近式曝光方面的全新內容，同時更新並擴展了曝光系統、成像、曝光-離焦（E-D）法、硬件組件、工藝和優化以及EUV光刻和浸沒式光刻等方面的資料。 本書可供半導體光刻領域的工程師、管理者以及研究人員閱讀，還可作為高校微電子、光學工程、集成電路等相關學科的參考教材。
作者簡介
林本堅（Burn J.Lin）博士是臺灣清華大學（清大）特聘研究講座教授和臺積電（TSMC）清大聯合研發中心主任。2000年加入臺積電擔任資深處長，2011年至2015年擔任副總經理和傑出科技院士。早年間，自1970年加人美國IBM T.J.Watson研究中心後，在IBM公司擔任過各種技術和管理職務。半個世紀以來，他一直在拓展光學光刻技術的極限。1991年，他創建了Linnovation.Inc.，至今仍是該公司的首席執行官， 林博士是Journal of Micro/ Nanolithography，MEMS，and MOEMS的創刊主編，美國國家工程院院士，中國臺灣“中研院”院士、臺灣工業技術研究院院士，IEEE和SPIE終身會士，臺灣交通大學和臺灣大學聯合特聘教授，俄亥俄大學和臺灣大學傑出校友， 林博士獲得的榮警有2018年未來科學大獎數學與計算機科學獎，2017年SPIE獎〈因在1987年創辦了光學微光刻會議），2013年IEEE西澤潤一獎，2010年首個SEMI IC傑出成就獎，2009年IEEE Cledo Brunetti獎，2009年Benjamin G.Lamme功成就獎，2007年工業技術進步獎，2006年傑出光學工程獎，2005年VLSI Research Inc.的芯片制造行業全明星最有價值專家，2005年臺灣兩位最佳研發經理之一，2004年PWY基金會傑出研究獎，2004年首屆SPIE Frits Zernike獎，2003年傑出科技工作者獎，2002年臺灣十大最佳工程師獎；在他的職業生涯中，還獲得過兩次臺積電創新獎、十次IBM發明獎和一次IBM傑出技術貢獻獎 林博士在許多方面一直在開拓：深紫外光刻技術（1975年以來），多層光刻膠體系（1979年以來），2D部分相幹成像模擬（1980年以來），曝光-離焦方法（1980年以來），分辨率和焦深的比例方程（1986年以來），k1降低（1987年以來），1義掩模限制的證明（1987年以來），光學成像中的振動（1989年以來），接觸孔電測量（1989年以來），又射線接近式曝光的E-G樹（1990年以來），掩模反射率對成像影響的實驗演示（1990年以來），透鏡最佳NA（1990年以來），衰減型相移掩模（1991年以來），Signamization技術（1996年以來），LWD-n和LWD-p（1999年以來），分辨率和焦深的非近軸比例方程（2000年以來），193nm浸沒式光刻（2002年以來），偏振相關雜散光（2004年以來）。他的創新和研究工作跨越了21代光刻技術，從5000nm節點開始，一直延伸到5nm節點。 林博士撰寫了兩本書以及其他書中的三章內容，發表了132篇以上文章，其中71篇他是唯一或第一作者，還擁有88項美國專利。
目錄大綱
第1章 緒論
1.1 光刻在集成電路制造中的作用
1.2 光刻的目標
1.3 光刻的度量標準
1.4 本書內容介紹
第2章 接近式曝光
2.1 引言
2.2 接近式成像
2.3 各種衍射近似的有效區域
2.4 鄰近圖像
2.5 E-G圖
2.6 小結
參考文獻
第3章 曝光系統
3.1 投影式曝光及其與接近式曝光的比較
3.2 全晶圓視場
3.3 步進重覆系統
3.4 步進掃描系統
3.5 縮小系統和1×系統
3.6 縮小系統制造的1×掩模
3.7 小結
參考文獻
第4章 成像
4.1 空間像
4.1.1 球面波前及其偏差的影響
4.1.2 球面波前
4.1.3 有限數值孔徑對球面波前的影響
4.1.4 球面波前的偏差
4.1.5 從掩模圖案成像
4.1.6 空間頻率
4.1.7 成像結果
4.2 反射和折射圖像
4.2.1 掩模反射和折射圖像的評估方法
4.2.2 多次反射對焦深的影響
4.3 潛像
4.4 光刻膠圖像
4.4.1 A、B、C系數
4.4.2 集總參數模型
4.4.3 β與η
4.5 從空間像到光刻膠圖像
4.6 轉移圖像
4.6.1 各向同性刻蝕
4.6.2 各向異性刻蝕
4.6.3 剝離
4.6.4 離子註入
4.6.5 電鍍
參考文獻
第5章 光刻的度量：曝光-離焦（E-D）工具
5.1 分辨率和焦深比例方程
5.2 基於顯微術測定k1和k
5.3 基於光刻確定k1、k2和k
5.3.1 E-D分支、樹和區域
5.3.2 E-D窗口、DOF和曝光裕度
5.3.3 使用E-D窗口確定k1、k2和k
5.4 k1、k2和k3作為歸一化的橫向和縱向尺寸單位
5.5 E-D工具
5.5.1 構建E-D樹
5.5.2 曝光軸使用對數比例的重要性
5.5.3 橢圓E-D窗口
5.5.4 CD居中的E-D窗口與全CD範圍的E-D窗口
5.5.5 E-D窗口和CD控制
5.5.6 E-D工具的應用
參考文獻
第6章 光學光刻的硬件組件
6.1 光源
6.1.1 汞弧燈
6.1.2 準分子激光器
6.2 照明器
6.2.1 科勒照明系統
6.2.2 離軸照明
6.2.3 任意照明
6.3 掩模
6.3.1 掩模襯底和吸收體
6.3.2 護膜
6.3.3 掩模的關鍵參數
6.3.4 相移掩模
6.4 成像透鏡
6.4.1 典型透鏡參數
6.4.2 透鏡配置
6.4.3 透鏡像差
6.4.4 透鏡加工
6.4.5 透鏡維護
6.5 光刻膠
6.5.1 分類
6.5.2 光與光刻膠的相互作用
6.5.3 顯影的光刻膠圖像
6.5.4 抗反射塗層
6.6 晶圓
6.7 晶圓臺
6.8 對準系統
6.8.1 離軸對準和通過透鏡對準
6.8.2 逐場、全局和增強全局對準
6.8.3 明場和暗場對準
6.9 小結
參考文獻
第7章 工藝與化
7.1 曝光機的化
7.1.1 NA的化
7.1.2 照明的化
7.1.3 曝光和焦點
7.1.4 焦深預算
7.1.5 曝光機的產率管理
7.2 光刻膠工藝
7.2.1 光刻膠塗覆
7.2.2 光刻膠烘焙
7.2.3 光刻膠顯影
7.2.4 光刻膠圖像的高寬比
7.2.5 環境汙染
7.3 k1降低
7.3.1 相移掩模
7.3.2 離軸照明
7.3.3 散射條
7.3.4 光學鄰近效應校正
7.4 偏振照明
7.5 多重圖案化
7.5.1 多重圖案化技術原理
7.5.2 MPT工藝
7.5.3 MPT版圖
7.5.4 雙重圖案化技術的G規則
7.5.5 打-解技術
7.5.6 分辨率倍增理論說明
7.5.7 MPT的套刻考慮
7.5.8 克服雙重成像的產率損失
7.6 CD均勻性
7.6.1 CD不均勻性分析
7.6.2 CDU的改進
7.7 對準和套刻
7.7.1 對準和套刻標記
7.7.2 使用測量數據進行對準
7.7.3 評估場間和場內套刻誤差成分
參考文獻
第8章 浸沒式光刻
8.1 引言
8.2 浸沒式光刻概述
8.3 分辨率和焦深
8.3.1 波長縮短和空間頻率
8.3.2 分辨率比例方程和焦深比例方程
8.3.3 使用浸沒式系統分辨率和焦深
8.3.4 浸沒式系統中的NA
8.4 多層介質的焦深
8.4.1 多層介質中的透射和反射
8.4.2 晶圓離焦運動的影響
8.4.3 衍射焦深
8.4.4 所需焦深
8.4.5 可用焦深
8.4.6 耦合介質的選折射率
8.4.7 分辨率和衍射焦深之間的權衡
8.5 光學成像中的偏振
8.5.1 不同偏振的成像
8.5.2 雜散光
8.6 浸沒式系統和組件
8.6.1 浸沒式系統的配置
8.6.2 浸沒介質
8.6.3 浸沒透鏡
8.6.4 浸沒介質中的氣泡
8.6.5 掩模
8.6.6 亞波長3D掩模
8.6.7 光刻膠
8.7 浸沒式光刻對工藝的影響
8.7.1 浸沒式光刻的模擬
8.7.2 多晶矽層
8.7.3 接觸層
8.7.4 金屬層
8.7.5 對三個技術節點的建議
8.8 浸沒式光刻技術實踐
8.8.1 曝光結果
8.8.2 減少缺陷
8.8.3 監測浸沒罩和殊路線
