集成電路版圖基礎 — 實用指南

朱迪·賽因特（Judy saint）是專業作家和插圖畫家，具有多年成功的教學經歷，在本書的內容組織與結構安排方面，她給予了很好的指導，使得本書更容易閱讀與理解。

第1章 電路基礎理論
1.1 內容提要
1.2 引言
1.3 基本電路回顧
1.3.1 同性相斥，異性相吸
1.3.2 基本單位
1.3.3 串聯公式
1.3.4 並聯公式
1.3.5 歐姆定律
1.3.6 基爾霍夫定律
1.3.7 電路單元符號
1.4 導體、絕緣體和半導體
1.5 半導體材料
1.5.1 N型材料
1.5.2 P型材料
1.6 PN結
1.6.1 勢壘
1.6.2 通過勢壘的電流
1.6.3 二極管
1.6.4 二極管應用
1.7 半導體開關
1.7.1 一個燈開關的例子*
1.8 場效應
1.8.1 場效應晶體管*
1.9 開關隔離
1.10 增強型器件和耗盡型器件
1.11 互補型開關
1.12 N阱和襯底接觸
1.13 邏輯電路
1.13.1 用電壓表示邏輯狀態
1.13.2 CMOS邏輯電路
1.13.3 與非門
1.13.4 或非門
結束語
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應用練習
第2章 矽加工工藝
2.1 內容提要
2.2 引言
2.3 集成電路版圖
2.3.1 基本矩形
2.4 矽晶圓制造
2.5 摻雜
2.5.1 離子註入
2.5.2 擴散
2.6 生長材料層
2.6.1 外延
2.6.2 化學氣相沈積
2.6.3 氧化層生長
2.6.4 濺射
2.6.5 蒸發
2.7 去除材料層
2.8 光刻
2.9 芯片制造
2.9.1 下凹圖形的加工
2.9.2 凸起圖形的加工
2.9.3 平坦化
2.9.4 作為掩模的二氧化矽
2.10 自對準矽柵
結束語
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第3章 CMoS版圖
3.1 內容提要
3.2 引言
3.3 器件尺寸設計
3.3.1 SPICE
3.3.2 大尺寸器件的設計
3.4 源漏區共用
3.5 器件連接技術
3.6 緊湊型版圖
3.7 棒狀圖
3.8 阱連接和襯底連接
3.8.1 阱連接布局
3.9 天線效應
3.10 多晶矽引線
3.11 圖形關系
結束語
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應用練習
第4章 電阻
4.1 內容提要
4.2 引言
4.3 電阻概述
4.4 電阻的測量
4.4.1 寬度和長度
4.4.2 方塊的概念
4.4.3 每方歐姆
4.5 多晶矽電阻公式
4.5.1 基本電阻器版圖
4.5.2 接觸電阻
4.5.3 改變體材料
4.6 實際電阻分析
4.6.1 接觸區誤差
4.6.2 體區誤差
4.6.3 頭區誤差
4.6.4 擴展電阻
4.6.5 總電阻方程
4.7 實際的最小電阻尺寸
4.8 特殊要求的電阻
4.8.1 大電阻一低精度
4.8.2 小電阻一高精度
4.9 設計的重要依據——電流密度
4.10 版圖誤差分析
4.10.1 電阻器誤差的來源
4.10.2 誤差要求
4.11 基本材料的覆用
4.12 擴散電阻和多晶矽電阻的比較
4.12.1 雙層多晶矽
4.12.2 Bipolar／BiCMOS
結束語
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應用練習
第5章 電容
5.1 內容提要
5.2 引言
5.3 電容概述
5.3.1 電容器的特性
5.4 電容值計算
5.4.1 表面電容
5.4.2 邊緣電容
5.5 N阱電容器
5.5.1 寄生電容
5.6 金屬電容器
5.6.1 疊層金屬電容器
5.6.2 氮化物介質電容器
結束語
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第6章 雙極型晶體管
6.1 內容提要
6.2 引言
6.3 工作原理
6.3.1 基本結構
6.3.2 NPN晶體管工作原理
6.4 縱向工藝
6.4.1 FET和NPN晶體管的開關特性比較
6.4.2 層的結構
6.5 NPN管的寄生效應
6.6 PNP晶體管
6.6.1 橫向PNP管
6.7 雙極型晶體管版圖與CMOs版圖的區別
6.7.1 設計規則的數量
6.7.2 黑匣子式的布局
結束語
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第7章 二極管
7.1 內容提要
7.2 引言
7.3 二極管的種類
7.3.1 基本二極管
7.3.2 由雙極型晶體管構造的二極管
7.3.3 變容二極管
7.4 ESD保護
7.5 特殊版圖結構
7.5.1 圓形版圖
7.5.2 梳狀結構二極管版圖
結束語
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第8章 電感
8.1 內容提要
8.2 引言
8.3 基本電感
8.4 傳輸線
8.4.1 直線特性
8.4.2 拐角特征化
8.5 螺旋電感
8.6 電感品質因子
8.7 疊層電感
8.7.1 射頻扼流圈
8.8 鄰近效應
結束語
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