肉容簡介：

本書敘述了積體電路製程的基本理論及其模擬軟體 SSUPREM 3的基本使用,並根據積體電路製程的基本理論,設計44個 SSUPREM 3模擬例題,利用 SSUPREM 3 模擬,配合圖形、表格與數值分析方法討論積體電路製程的原理與參數的計算,對於從事與積體電路製程相關的工程師、及大專電子、電機科系的學生有很大的助益。

目錄：

第一章導論
1.1製程模擬
1.2製程模擬與實驗量測的共生關係
1.3SSUPREM3 簡介
第二章擴散
2.1擴散的基本原理
2.2擴散的原子模型
2.3擴散的數學模型
2.4擴散係數
2.5連續擴散
2.6接面的形成及接面特性
2.7片面電阻
2.8擴散系統
2.9併合擴散效應
2.10與擴散相關SSUOREM3的指令
2.11例題說明
第三章熱氧化
3.1矽的熱氧化
3.2氧化成長動力學
3.3氧化系統
3.4雜質的再分佈
3.5氧化層電荷
3.6氧化層厚度的估算
3.7最小平方近似法求解B與B/A
3.8氧化層遮蔽最小厚度的計算
3.9與熱氧化相關SSUPREM3的指令
3.10例題說明
第四章薄膜沉積
4.1真空沉積
4.2化學氣相沉積
4.3磊晶
4.4與沉積相關SSUPREM3的指令
4.5與磊晶相關SSUPREM3的指令
4.6例題說明
第五章蝕刻
5.1溼蝕刻
5.2乾蝕刻
5.3蝕刻相關SSUPREM3的指令
5.4與蝕刻相關SSUPREM3的指令
5.5例題說明
第六章離子佈值
6.1離子佈值機
6.2離子佈值技術
6.3入射範圍與數學模型
6.4阻隔物等效厚度的計算
6.5穿越阻隔物材料的劑量
6.6回火之後的濃度分佈
6.7對靶物的影響及其物理現象
6.8在矽元件的應用
6.9接面深度、片面電阻與瓶頸電壓的計算
6.10與離子佈值相關SSUPREM3的指令
6.11例題說明