VLSI 製程技術, 2/e

溫武義

  • 出版商: 全華圖書
  • 出版日期: 2003-07-30
  • 定價: $220
  • 售價: 9.0$198
  • 語言: 繁體中文
  • ISBN: 9572140973
  • ISBN-13: 9789572140970
  • 相關分類: VLSI
  • 立即出貨(限量) (庫存=1)

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商品描述


■ 內容簡介
  本書內容乃將日本NTT0.5~0.8μm製程開發中所遭遇的問題
,完全以實例說明並提供其解決方法。對於VLSI製程詳細記實的書誠
屬少見;書中所蘊藏的寶貴經驗,對於現今及未來0.13μm以下製程
良率之提昇而言,甚具參考價值。本書適合專業及有興趣之業界人士
使用。


■ 目錄
1
LSI製程技術概要
1.1 前 言1-1
1.2 前段工程之製造流程1-2
1.2.1 晶圓處理工程之製造流程1-2
1.2.2 配線工程之製造流程1-6
1.3 基本製程技術1-8
1.3.1 清洗技術1-8
1.3.2 熱氧化技術1-9
1.3.3 成膜技術1-10
1.3.4 光微影(photolithography)技術1-13
1.3.5 蝕刻(etching)技術1-14
1.3.6 離子植入(ion implantation)技術1-14
1.3.7 平坦化(planarization)技術1-15
2
光微影製程
2.1 前 言2-1
2.2 光阻塗佈製程2-3
2.2.1 由下層表面狀態所致之不良塗佈2-3
2.2.2 下面斷差對於上面光阻厚度之影響2-5
2.3 曝光製程2-7
2.3.1 來自於下方之反射所造成之異常曝光2-7
2.3.2 反射之防止2-11
2.4 顯像,圖案強化製程2-17
2.4.1 顯像工程流程2-17
2.4.2 光阻圖案尺寸之控制2-18
3
晶圓處理工程
3.1 前 言3-1
3.2 選擇性氧化3-5
3.2.1 Si3N4膜於電漿蝕刻時所發生之問題3-5
3.3 閘極氧化3-8
3.4 閘極電極之形成3-9
3.5 離子植入法3-10
3.6 源極.汲極之形成3-12
3.6.1 電荷囤積(charge up)3-12
4
配線工程
4.1 前 言4-1
4.2 接觸孔之形成4-2
4.2.1 圖案轉換誤差4-2
4.2.2 反應性生成物4-3
4.2.3 接觸特性之異常現象4-6
4.3通孔之形成4-9
4.3.1 反應性生成物4-9
4.3.2 反應性生成物之去除4-12
4.3.3 連接特性之異常現象4-13
4.4 配線之形成4-17
4.4.1 斷差上之配線窄化4-17
4.4.2 斷面形狀之變化4-19
4.4.3 反應性生成物4-21
4.4.4 小丘(hillock)4-23
4.4.5 空洞(void)4-25
4.4.6 Al之龜裂 (crack)4-28
4.4.7 遷移(migration)4-29
4.4.8 Al之鬚狀物之成長(whisker growth)4-31
4.5 層間絕緣膜之形成4-31
4.5.1 層間絕緣膜之缺陷4-31
4.5.2 保護(passivation)膜之缺陷4-33
4.5.3 平坦化4-34
5
塵埃、污染
5.1 前 言5-1
5.2 塵埃之觀察範例5-4
5.2.1 浮游塵埃(環境塵埃)5-4
5.2.2 光阻碎片之塵埃5-5
5.2.3 清洗工程時所附著之塵埃5-5
5.2.4 加工塵埃5-6
5.2.5 加工缺陷5-6
5.3 化學污染5-7
6
故障分析技術
6.1 前 言6-1
6.2 故障位置之判定技術6-3
6.2.1 液晶分析法6-3
6.2.2 利用放射式(Emission)顯微鏡之分析法6-5
6.2.3 EB測試器分析法6-10
6.3 構造分析及組成分析技術6-12
6.3.1 構造分析6-12
6.3.2 組成分析6-17
6.4 故障分析事例6-20
6.4.1 液晶分析/構造分析6-20
6.4.2 發射式(Emission)顯微鏡分析/構造分析6-21
6.4.3 EB測試器分析/構造分析6-22
7
後段工程
7.1 前 言7-1
7.2 後段工程之製造流程7-2
7.2.1 LSI晶粒分離7-3
7.2.2 晶粒貼附(die bonding)7-4
7.2.3 打線結合(wire bonding)7-5
7.3 封裝(packaging)7-7
7.4 封裝與包裝之新的發展7-9
7.4.1 LSI晶粒之銲墊片之改良與沒有封罩晶粒之包裝7-9
7.4.2 封裝之變化7-10
7.5 印刷基板形狀之變化7-11
8
製程技術之評估與檢討
8.1 前 言8-1
8.2 製程評估項目之設定8-2
8.3 關於LSI製造之新技術8-3
8.4 微影技術8-4
8.5 成膜技術.絕緣膜之形成8-6
8.6 金屬膜之形成,poly-Si之替代品8-7
8.7 平坦化技術8-8
9
未來展望