升研究所 ─ 電子學精華 (上)

王金松

  • 出版商: 全華圖書
  • 出版日期: 2005-06-02
  • 定價: $450
  • 售價: 9.0$405
  • 語言: 繁體中文
  • ISBN: 9572148958
  • ISBN-13: 9789572148952
  • 相關分類: 電子學 Eletronics

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商品描述

內容簡介

本書是作者累積二十年教學經驗並參考各家同類型的書,擷取各家之優點編寫而成。豐富的考題來自於近5年各國立大學研究所試題,可幫助讀者迅速掌握各研究所命題焦點。本書內容包括:半導體概論、二極體、BJT直流篇、BJT小信號分析、大信號放大電路、J-FET、MOS-FET、電流鏡、差動放大器。本書非常適合升研究所的人士使用。

 

目錄

1章 半導體概論
1-1 原子結構與元素週期表1-2
1-2 遷移率(Mobility),μ1-4
1-3 漂移電流(DriftCurrentDensity)1-7
1-4 擴散電流(DiffusionCurrent)1-9
1-5 愛因斯坦關係式(EinsteinRelation)1-11
1-6 歐姆定理(Ohmic-Law)1-12
1-7 本質半導體(IntrinsicSemiconductor)1-13
1-8 摻雜→外質半導體(ExtrinsicSemiconductor)1-14
1-8-1 施體雜質(Donors)與N型半導體(NType)1-14
1-8-2 受體雜質(Acceptors)與型半導體(Type)1-16
1-9 本質與雜質半導體的電子、電洞濃度和電阻係數1-17
2章 二極體與二極體電路
2-1 PN二極體的開路特性2-3
2-1-1 空乏區2-6
2-1-2 內建電壓的電位變化  波茲曼方程式2-7
2-2 開路時接面電壓與空乏區寬度的關係2-10
2-3 外加偏壓之接面的空乏區寬度變化2-15
2-3-1 順向偏壓(forwardbias)2-15
2-3-2 逆向偏壓(reversebias)2-17
2-4 二極體的少數載子電流電壓方程式2-19
2-5 二極體電流方程式2-23
2-6 二極體的溫度效應2-24
2-7 二極體等效電路之五大解法2-26
2-8 擴散電容量(DiffusionCapacitance),CD2-34
2-9 過渡電容量(TransitionCapacitor),CT2-35
2-10二極體之內阻2-39
2-11稽納二極體(zenerdiode)2-42
2-12截波電路(ClippingCircuit)2-50
2-13箝位電路(ClampingCircuit)2-60
2-14整 流2-64
3章 BJT直流篇
3-1 BJT的製造與構造3-2
3-2 BJT的四個操作區(Region)3-6
3-3 BJT的電流增益(CurrentGain)  、、3-9
3-4 BJT電晶體的三種放大組合狀態(三態)3-14
3-5 歐萊效應(EarlyEffect)3-19
3-6 直流工作點與放大作用3-31
3-7 共射式放大電路直流偏壓設計3-35
3-7-1 固定偏壓法(FixedBias)3-36
3-7-2 射極回授偏壓法(Emitter-FeedbackBias)3-37
3-7-3 自給偏壓法(Self-Bias)3-38
3-7-4 集極回授偏壓法(Collector-FeedbackBias)3-41
3-8 直流負載線(DCLoadLine)3-52
3-9 交流負載線與最大輸出擺幅3-55
4章 BJT交流小信號分析
4-1 小信號之定義4-2
4-1-1 泰勒級數展開式4-2
4-1-2 BJT之與4-2
4-1-3 曲線變直線  微分得切線直線方程式  gm4-3
4-2 h參數(Hybrid-parameter)4-8
4-3 C-E電路分析4-11
4-3-1 無RE  固定偏壓電路4-11
4-3-2 有RE,但無CE4-13
4-3-3 含-射極旁路電容器4-15
4-4 共基式小信號放大分析4-28
4-5 共集式-射極追隨器(EmitterFollower)4-34
4-6 達靈頓(DarlingtonCircuit)4-49
4-7 串疊組態(Cascode)4-57
4-8 串級(多數放大)4-64
5章 大信號放大電路
5-1 A類(甲類)放大器5-3
5-2 B類互補式SEPP放大方式5-7
5-3 交叉失真的產生與AB類(甲乙類)放大器5-21
5-4 功率遞減因素與散熱5-29
6章 J-FET
6-1 N-通道JFET6-5
6-1-1 FET由三極體區(電阻區)進入夾止區(飽和區)6-7
6-1-2 的定義6-11
6-1-3 =的定義:夾止(Pinch-OFF)6-12
6-2 N-FET的電壓電流方程式6-13
6-2-1 三極體區(TriodeRegion)電壓電流方程式6-15
6-2-2 三極體區與飽和區(夾止區)之分界6-16
6-2-3 夾止區(PinchRegion)電壓電流方程式6-18
6-2-4 歐萊效應(EarlyEffect)6-21
6-2-5 三極體區可擔任電阻器6-22
6-3 N-JFET的三種直流偏壓設計6-25
6-3-1 固定偏壓(fixedbias)6-26
6-3-2 源極自給偏壓(self-bias)6-27
6-3-3 自給偏壓與固定偏壓合用6-28
6-4 JFET的交流分析6-31
6-4-1 共源式RS不存在6-34
6-4-2 共源式含RS存在 使用戴維寧等效電路6-35
6-5 JFET共汲式放大器:源極隨耦器6-44
6-5-16-50
6-6 P通道JFET6-51
7章 MOS-FET
7-1 N通道增強型MOSFET7-3
7-1-1 物理結構7-4
7-1-2 電流方程式7-6
7-1-3 三極體區(歐姆區)7-8
7-1-4 分界線(Boundary)7-9
7-1-5 夾止區(定電流區、飽和區)7-11
7-1-6 EarlyEffect7-12
7-1-7 增強型MOS之交流分析:7-13
7-1-8 基體效應7-15
7-2 直流偏壓分析7-17
7-2-1 自動偏壓方式7-17
7-2-2 汲極回授偏壓方式7-33
7-2-3 增強型MOS當作電阻器使用7-39
7-3 共閘式放大器與疊串式放大7-41
7-4 增強型P通道MOSFET7-46
7-5 空乏型N通道MOSFET7-51
7-6 P通道空乏型MOSFET7-61
8章 電流鏡(CurrentMirror)
8-1 電晶體式1比1電流鏡(β+2比β)8-3
8-2 電流鏡之主動負載8-19
8-3 威爾森電流鏡(TheWilsonCurrentMirror)8-21
8-4 衛得勒電流鏡(WidlarCurrentMirror)8-24
8-5 CurrentMiirror之內阻8-26
8-6 增強型MOSFET之電流鏡8-31
8-7 MOS電流鏡之內阻8-41
9章 差動放大器
9-1 差動放大器的基本結構9-2
9-2 差動放大器的放大方式9-3
9-3 差動放大會拒絕共模雜訊(除暴)9-5
9-4 差動放大器只放大差模信號(安良)9-7
9-5 差模增益、共模增益、CMRR與Vo9-8
9-6 差動放大器之直流工作點分析9-11
9-7 差模信號的最大輸入範圍9-13
9-8 差動放大器之交流信號特性分析9-16
9-8-1 差模半電路9-17
7-8-2 共模半電路9-19
9-9 FET之差動放大器9-28
9-10第二類差動放大CMRR與CCS9-37
9-11第三類差動放大器  主動負載裝置9-50