微奈米加工學

<本書特色>

1 . 本書以氣體分子作為一種『工具』來切入微奈米加工的物理、化學原理講解，並且不以半導體元件或大學程度的電磁學為前提，而以高中層級的物理講解，特別以能理解力學系統領域的知識為重點。
2 . 對現象的物理模型以數學式描述，可幫助原理的理解；重要的數學式和概念清楚說明強調，並對應到附錄中進行解說。
3 . 且對於將來進行進階專業等的發展學習研究時，基礎技術人員也能獨立學習而有相當成效。

<內容簡介>

本書以氣體分子作為一種『工具』來切入微奈米加工的物理、化學原理講解，並且不以半導體元件或大學程度的電磁學為前提，而以高中層級的物理講解，特別以能理解力學系統領域的知識為重點。對現象的物理模型以數學式描述，可幫助原理的理解；重要的數學式和概念清楚說明強調，並對應到附錄中進行解說。且對於將來進行進階專業等的發展學習研究時，基礎技術人員也能獨立學習而有相當成效。本書適用機械系、材料系、資訊系、電子相關科系，或對『微奈米加工學』有興趣者皆可研讀。

<章節目錄>

第一章  導論
第二章  真空和氣體分子動力學
2.1 前言
2.2 真空和狀態方程式
2.2.1 何謂真空
2.2.2 理想氣體和氣體性質
2.3 氣體的壓力和內部能量
2.3.1 壓力和分子速度
2.3.2 氣體的內部能量
2.4 全壓和分壓
2.5 氣體分子速度的分佈定律
2.5.1 Maxwell-Boltzmann分佈
2.5.2 通過單位面積的分子數
2.5.3 餘弦定律
2.6 平均自由路徑和碰撞機率
2.6.1 平均自由路徑
2.6.2 碰撞機率
2.6.3 混合氣體的平均自由路徑
2.7 真空中的氣流
2.7.1 黏性流和分子流
2.7.2 氣導
2.7.3 排氣量和排氣速度
2.7.4 氣體添加和壓力控制，平均停留時間
2.8 真空設備
2.8.1 真空容器和管路
2.8.2 真空泵浦
第三章  電漿的基礎
3.1 前言
3.2 何謂電漿
3.2.1 電漿中的粒子狀態
3.2.2 電磁場中的帶電粒子運動
3.3 電子和氣體分子的碰撞過程
3.3.1 彈性碰撞和非彈性碰撞
3.3.2 碰撞過程
3.3.3 碰撞截面積
3.4 接觸物體的電漿構造
3.5 電漿設備和電漿的內部現象
3.5.1 直流電漿
3.5.2 高頻電漿
3.5.3 微細加工用的新電漿
第四章  物理蒸鍍法(PVD)
4.1 前言
4.2 真空蒸鍍法
4.2.1 蒸發和蒸鍍
4.2.2 真空蒸鍍源和各種蒸鍍法
4.2.3 真空蒸鍍法的特徵
4.3 濺鍍法
4.3.1 何謂濺鍍法
4.3.2 濺鍍法的沉積過程
4.3.3 濺鍍沉積設備
4.3.4 其它的濺鍍沉積法
第五章  薄膜的形成過程
5.1 前言
5.2 薄膜成長與其表面
5.2.1 原子沉積和膜的型態
5.2.2 薄膜表面
5.3 晶核的產生
5.3.1 以平衡理論解釋
5.3.2 晶核產生的速度理論
5.4 薄膜組織的發展
5.4.1 島的成長和結合
5.4.2 多晶薄膜組織的發展
5.4.3 磊晶成長
第六章  蝕刻
6.1 前言
6.2 蝕刻加工的分類
6.3 濕蝕刻
6.3.1 等向性蝕刻
6.3.2 異向性蝕刻
6.4 物理性乾蝕刻
6.5 化學性乾蝕刻
6.5.1 熱反應性化學蝕刻
6.5.2 電漿蝕刻
6.5.3 光化學蝕刻和電荷累積
6.6 物理+化學性乾蝕刻
6.6.1 反應性離子蝕刻(RIE)
6.6.2 其它的離子輔助蝕刻法
第七章  微影
7.1 前言
7.2 微影概述
7.3 光阻製程
7.3.1 光阻材料
7.3.2 塗佈製程
7.4 光罩
7.4.1 光罩材料
7.4.2 光罩圖案的設計
7.5 曝光
7.5.1 曝光設備
7.5.2 光源

附錄A 基本常數表和真空單位
附錄B 材料科學相關的記述
附錄C 分佈函數和Maxwell-Boltzmann分佈
附錄D 對數刻度和對數圖
參考文獻
索引