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商品描述
本書特色
本書因循介紹VHDL設計的方法與技巧，主要內容包括： 1.MOS元件特性。 2.基本邏輯電路設計。 3.電路性能評估。 4.電路佈局方法。 5.低功率與可測試性電路介紹。 6.子系統電路介紹。 7.CAD工具使用方法介紹。本書適合大學、科大電子、資工科系「超大型積體電路設計」、「VLSI概論」等課程或業界相關人士及有興趣之讀者使用。
內容簡介
本書循序漸進介紹VLSI的設計方法與技巧，全書共分為兩個部份，第一部份共八章，其內容包括1.MOS元件特性，2.CMOS的製成技巧，3.MOS的基本電路介紹，4.電路性能分析，5.CMOS電路設計，6.積體電路設計與佈侷方法，7.低功率與可測試性電路設計，8.子電路系統設計;第二部份則是介紹思源科技所開發的佈侷工具Laker並讓讀者熟悉EDAI工具操作，接著就是針對TANNER做介紹，提供讀者可以進行一個設計計劃與學習的機會。本書適合大學、科大電子、資工科系「超大型積體電路設計」、「VLSI概論」等課程或業界相關人士及有興趣之讀者使用。
目錄大綱
第一部份 VLSI設計原理與系統設計
第一章 VLSI與MOS元件 1-1
1.1 前言 1-2
1.1-1 積體電路的發展 1-2
1.1-2 積體電路製作技術簡介 1-4
1.2 加強型MOS 1-6
1.2-1 nMOS 1-7
1.2-2 pMOS 1-9
1.3 互補式MOS(CMOS) 1-11
1.4 體效應(Body Effect) 1-12
1.5 Latch-Up 1-14
1.6 臨限電壓 1-16
1.7 小結(Summary) 1-16
1.8 習題 1-17
第二 章 CMOS製程技術 2-1
2.1 積體電路基本製程技術 2-2
2.1-1 摻雜技術(dopping) 2-3
2.1.2 氧化技術(oxidation) 2-4
2.1-3 累晶技術(epitaxial) 2-5
2.1-4 蝕刻技術(etching) 2-6
2.1-5 其他相關技術 2-9
2.2 CMOS製程技術 2-9
2.2-1 P型阱CMOS技術 2-10
2.2-2 N型阱CMOS技術 2-14
2.3 設計規則(design rule) 2-15
2.4 良率(yield) 2-20
2.5 小結(Summary) 2-22
2.6 習題 2-23
第 三章 MOS基本電路介紹 3-1
3.1 當開關使用的MOS 3-2
3.2 MOS基本邏輯電路 3-5
3.2-1 反相器(inverter) 3-5
3.2-2 反及閘(NAND gate) 3-8
3.2-3 反或閘(NOR gate) 3-10
3.2-4 複合邏輯電路(Compound logic gate) 3-12
3.2-5 多工器 3-16
3.2-6 記憶單元 3-18
3.3 實際電路考慮的問題 3-19
3.3-1 驅動較大負載的電路 3-20
3.3-2 電子移轉現象(Electromigration) 3-25
3.3-3 接線電容進一步的考慮 3-26
3.4 小結(Summary) 3-27
3.5 習題 3-28
第 四章 電路性能分析 4-1
4.1 電阻估算 4-2
4.1-1 通道電阻(channel resistance) 4-3
4-1.2 非長方形物質的電阻值 4-4
4.2 電容估算 4-5
4.2-1 閘極電容 4-6
4.2-2 擴散層電容 4-7
4.2-3 其他電容 4-9
4.2-4 導線長度的限制 4-12
4.3 延遲時間(delay time) 4-13
4.3-1 上升時間(rise time) 4-16
4.3-2 下降時間(fall time) 4-17
4.3-3 電晶體尺寸大小 4-18
4.3-4 時間延遲的估算 4-19
4.4 直流轉移曲線 4-22
4.4-1 雜訊邊限(noise margin) 4-25
4.5 功率消耗(power dissipation) 4-28
4.5-1 靜態功率消耗 4-29
4.5-2 動態功率消耗 4-31
4.6 CMOS和nMOS的比較 4-33
4.7 小結(Summary) 4-34
4.8 習題 4-35
第五 章 CMOS電路設計 5-1
5.1 邏輯電路設計 5-2
5.1-1 時脈靜態邏輯(clocked static logic) 5-2
5.1-2 動態CMOS邏輯(Dynamic CMOS logic) 5-12
5.1-3 CMOS骨牌邏輯(CMOS domino logic) 5-20
5.1-4 管線式電路(pipeline circuit) 5-24
5.2 設計時考慮的要件 5-25
5.2-1 電晶體的尺寸大小 5-26
5-2.2 邏輯閘的輸入個數 5-27
5.2-3 汲極與源極電容 5-30
5.3 輸出輸入電路結構(I/O PAD structure) 5-32
5.3-1 整體架構 5-33
5.3-2 VDD和VSS PADs 5-35
5.3-3 輸出PAD(output PAD) 5-35
5.3-4 輸入PAD(input PAD) 5-36
5.3-5 三態PAD(tri-state PAD) 5-38
5.3-6 雙向PAD(bidirectional PAD) 5-40
5.4 一些特殊CMOS電路 5-41
5-4.1 虛擬NMOS(Pseudo NMOS) 5-41
5.4-2 傳輸邏輯(Pass transistor logic) 5-43
5.4-3 差分開關邏輯(Differential cascode
voltage switch logic) 5-46
5.5 各種邏輯電路比較 5-49
5.6 小結(Summary) 5-51
5.7 習題 5-51
第六 章 積體電路設計與佈局方法 6-1
6.1 佈局法 6-2
6.2 光罩與條形圖 6-3
6.2-1 從條形圖到佈局圖 6-6
6.2-2 基本邏輯電路佈局圖 6-11
6.2-3 佈局時應注意的問題 6-20
6.3 設計方式 6-25
6.3-1 結構化設計 6-26
6.3-2 閘陣列(gate array)設計 6-28
6.3-3 標準單元(standard cell)設計 6-31
6.3-4 全定製(full custom)設計 6-33
6.3-5 以上三種設計方式的比較 6-34
6.3-6 可程式邏輯陣列(PLA)設計 6-35
6.4 設計者的工具箱 6-41
6.4-1 邏輯層次(logical level) 6-42
6.4-2 開關層次(switch level) 6-42
6.4-3 時序層次(timing level) 6-43
6.4-4 電路層次(circuit level) 6-43
6.4-5 電路圖編輯器(Schematic Editor) 6-44
6.4-6 佈局圖編輯器(Layout Editor) 6-44
6.5 小結(Summary) 6-45
6.6 習題 6-46
第 七章 低功率電路設計與可測試性電路設計 7-1
7.1 低
