現代模擬集成電路設計
孫楠、劉佳欣、揭路
- 出版商: 清華大學
- 出版日期: 2024-01-01
- 售價: $450
- 貴賓價: 9.5 折 $428
- 語言: 簡體中文
- ISBN: 7302639272
- ISBN-13: 9787302639275
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相關分類:
半導體、微電子學 Microelectronics、電子學 Eletronics
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商品描述
目錄大綱
目錄
第1章晶體管的長溝道模型
1.1MOS晶體管基本工作原理
1.2晶體管的電壓電流關系
1.3晶體管工作區的劃分
1.4晶體管本徵電容
1.5晶體管寄生電容
1.5.1交疊電容
1.5.2pn結電容
1.5.3包含寄生電容的晶體管電容模型
1.5.4阱電容
1.6背柵效應
1.7本章小結
第2章放大器線性化分析
2.1基於晶體管大信號模型的放大器增益分析
2.2晶體管的小信號模型
2.2.1晶體管飽和區小信號模型
2.2.2晶體管線性區小信號模型
2.3基於晶體管小信號模型的放大器性能分析
2.4本章小結
第3章晶體管基本電路結構
3.1共源放大器
3.2共柵放大器
3.2.1輸入輸出特性
3.2.2輸入輸出阻抗
3.3共源共柵放大器
3.3.1共源共柵結構對電路增益的改善
3.3.2共源共柵結構對電路帶寬的改善
3.4共漏放大器
3.4.1共漏放大器的頻響特性
3.4.2共漏放大器的輸入輸出阻抗
3.4.3共漏極的應用
3.5電流鏡
3.5.1基本電流鏡
3.5.2共源共柵電流鏡
3.5.3電流鏡去耦
3.6本章小結
第4章晶體管的性能指標
4.1跨導效率、特徵頻率和本徵增益的定義
4.1.1跨導效率的定義
4.1.2特徵頻率的定義
4.1.3本徵增益的定義
4.1.4晶體管性能指標之間的聯系
4.2晶體管性能指標與偏置電壓之間的實際關系
4.2.1跨導效率與過驅動電壓的實際關系
4.2.2特徵頻率與過驅動電壓的關系
4.2.3本徵增益與過驅動電壓的關系
4.2.4漏源電壓對晶體管參數的影響
4.3本章小結
第5章基於跨導效率的模擬電路設計方法
5.1傳統設計方法及其弊端
5.2基於跨導效率設計方法及設計實例
5.2.1設計實例
5.2.2設計流程總結
5.3本章小結
第6章電路帶寬分析方法
6.1帶寬分析實例
6.2密勒近似
6.2.1密勒近似的基本原理
6.2.2密勒效應的一般情況
6.2.3密勒近似的準確性檢查
6.2.4輸出負載的影響
6.3零值時間常數分析
6.3.1零值時間常數分析的定義
6.3.2基於零值時間常數分析的帶寬估計
6.3.3零值時間常數分析方法的原理及局限性
6.4本章小結
第7章噪聲
7.1噪聲的基本概念
7.2熱噪聲
7.2.1電阻熱噪聲
7.2.2晶體管熱噪聲
7.3閃爍噪聲
7.3.1晶體管的閃爍噪聲
7.3.2其他器件的閃爍噪聲
7.4散粒噪聲
7.5柵極電阻噪聲
7.6電路中的噪聲分析
7.6.1簡單RC電路
7.6.2共源放大器
7.6.3共柵放大器
7.6.4共源共柵放大器
7.6.5共漏放大器
7.7能量均分原理
7.8本章小結
第8章差分電路
8.1差分概念的引入
8.2差分電路的分析方法及主要指標
8.2.1大信號分析
8.2.2小信號分析
8.2.3差分電路的共模抑制
8.2.4差分電路的電源抑制
8.2.5差分電路與單端電路的信噪比對比
8.3差分放大器分析
8.3.1電流鏡負載的差分放大器
8.3.2全差分與單端輸出
8.3.3全差分放大器的差模增益
8.4差分電路的常用技巧
8.4.1反相連接
8.4.2中和電容和負電阻
8.5本章小結
第9章器件偏差
9.1工藝、電壓、溫度偏差
9.2失配
9.2.1系統失配
9.2.2隨機失配
9.3本章小結
第10章負反饋
10.1負反饋的意義和基本原理
10.1.1負反饋提高增益準確度
10.1.2負反饋提高線性度
10.1.3負反饋延展帶寬
10.1.4理想反饋框圖的局限性
10.2負反饋基本模式
10.2.1電壓電壓負反饋
10.2.2電流電壓負反饋
10.2.3電流電流負反饋
10.2.4電壓電流負反饋
10.2.5負反饋網絡埠阻抗分析
10.3負反饋電路的穩定性判據
10.3.1BIBO穩定性判據
10.3.2巴克豪森判據
10.3.3奈奎斯特判據
10.4負反饋電路分析方法
10.4.1迴路比值分析法
10.4.2Middlebrook方法
10.4.3Blackman阻抗公式及實例
10.5本章小結
第11章運算放大器基礎
11.1運算放大器的基本概念
11.2運算放大器的基本指標
11.3基本單端運算跨導放大器
11.4基本全差分運算跨導放大器
11.4.1五管運算跨導放大器
11.4.2套筒式運算跨導放大器
11.4.3折疊式運算跨導放大器
11.5共模反饋
11.6本章小結
第12章開關電容電路
12.1開關電容電路的基本概念
12.2開關電容電路基礎模塊
12.2.1開關電容電阻
12.2.2開關電容濾波器
12.2.3飛電容
12.2.4處理連續時間信號的有源開關電容電路
12.2.5處理離散時間信號的有源開關電容電路
12.3開關電容的非理想效應與底板採樣技術
12.4連續時間系統與離散時間系統的映射關系
12.5開關電容電路的噪聲
12.6本章小結
第13章運算放大器進階
13.1多級運算放大器
13.1.1單級運算放大器的局限性
13.1.2兩級運算放大器
13.2小信號響應
13.2.1運算放大器的頻響分析
13.2.2運算放大器的穩定性
13.2.3主極點補償
13.2.4平行補償
13.2.5密勒補償
13.2.6前饋補償
13.2.7階躍響應
13.3大信號響應
13.3.1壓擺
13.3.2大信號穩定性
13.4輸出級
13.4.1輸出級的分類
13.4.2推輓互補輸出級
13.5本章小結
第14章運算放大器設計實踐
14.1套筒式共源共柵放大器設計
14.1.1指標分析
14.1.2尺寸設計
14.1.3偏置電路及共模反饋電路設計
14.1.4電路模擬
14.2全差分兩級跨導運算放大器設計
14.2.1指標分析
14.2.2尺寸設計與優化
14.2.3共模反饋電路設計
14.2.4電路模擬
14.3本章小結
第15章基準源
15.1基準源設計原理
15.1.1基於MOS管閾值電壓Vt的電流偏置
15.1.2基於雙極型晶體管VBE的電流偏置
15.2自偏置電流基準源
15.2.1自偏置電路的啟動電路
15.2.2基於VBE的自偏置電流基準源
15.2.3基於ΔVBE的電流參考電路
15.2.4基於ΔVGS的電流參考電路
15.3帶隙基準源原理
15.3.1基本帶隙基準電路
15.3.2低電壓的帶隙基準電路
15.3.3帶隙基準電路的非線性與補償
15.3.4應力對帶隙基準電路的影響
15.3.5帶隙基準電路中的失調
15.4本章小結
第16章工藝演進對模擬電路的影響
16.1理解摩爾定律
16.2工藝演進下電路特性的變化
16.3從模擬電路設計看摩爾定律
16.4本章小結
附錄A飽和區晶體管電容容值的推導
附錄B跨容
附錄C工藝演進與設計圖表
C.140nm工藝模擬曲線
C.212nm FinFET工藝模擬曲線
附錄D模擬方法
D.1直流分析
D.2交流分析
D.3穩定性分析
D.4噪聲分析
D.5瞬態分析
參考文獻