半導體元件物理學, 3/e (上冊) (Physics of Semiconductor Devices, 3/e)

施敏、伍國(王玉) 著、張鼎張、劉柏村 譯

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商品描述

<內容簡介>

本書適用電機、電子、物理、材料等科系大學高年級生及研究生修習半導體相關課程使用。在半導體元件領域中,樹立了先進的研究以及參考的標準,現在第三版的內容徹底更新並將架構重新組織,以反應元件概念以及品質上的巨大進展,第三版維持最詳細且徹底的資料在最重要的半導體元件上,使讀者立即獲得重要的元件物理知識以及詳細的元件特性,包含主要的雙載子、場效、微波、光子以及偵測元件,為了採用及參考本書的研究生需要設計,新版的內容包含:

  1. 將最新的發展徹底更新。
  2. 新的元件例如三維MOSFETsMODETs、共振穿隧二極體、半導體偵測器、量子Cascade雷射、單電子電晶體、real-space  transfer以及更多的元件。
  3. 將材料完全重新組織。
  4. 在每一章的後面設立問題集。
  5. 所有的圖以最高的品質重新繪製。

<章節目錄>

導論

第一部份  半導體物理

第一章  半導體物理及特性回顧篇

  • 1.1  簡介
  • 1.2  晶體結構
  • 1.3  能帶與能隙
  • 1.4  熱平衡狀態下的載子濃度
  • 1.5  載子傳輸現象
  • 1.6  聲子、光和熱特性
  • 1.7  異質接面與奈米結構
  • 1.8  基本方程式與範例

第二部份  元件建構區塊

第二章  p-n接面

  • 2.1  簡介
  • 2.2  空乏區
  • 2.3  電流-電壓特性
  • 2.4  接面崩潰
  • 2.5  暫態行為與雜訊
  • 2.6  終端功能
  • 2.7  異質接面

第三章  金屬-半導體接觸

  • 3.1  簡介
  • 3.2  位障的形成
  • 3.3  電流傳輸過程
  • 3.4  位障高度的量測
  • 3.5  元件結構
  • 3.6  歐姆接觸

第四章  金屬-絕緣體-半導體電容器

  • 4.1  簡介
  • 4.2  理想MIS電容器
  • 4.3  MOS電容器

第三部份  電晶體

第五章  雙載子電晶體(BJT)

  • 5.1  簡介
  • 5.2  靜態特性
  • 5.3  微波特性
  • 5.4  相關元件結構
  • 5.5  異質接面雙載子電晶體

第六章  金氧半場效電晶體(MOSFET)

  • 6.1  簡介
  • 6.2  基本元件特性
  • 6.3  非均勻摻雜與埋入式通道元件
  • 6.4  元件微縮與短通道效應
  • 6.5  MOSFET結構
  • 6.6  電路應用
  • 6.7  非揮發性記憶體元件
  • 6.8  單電子電晶體

第七章  接面場效電晶體(JFET)、金屬半導體場效電晶體(JFET)以及調變摻雜場效電晶體(MODFET)

  • 7.1  簡介
  • 7.2  JFETMESFET
  • 7.3  MODFET

附錄

索引