集成電路設計
徐勇
- 出版商: 東南大學
- 出版日期: 2025-02-01
- 售價: $408
- 語言: 簡體中文
- 頁數: 308
- ISBN: 757661014X
- ISBN-13: 9787576610147
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商品描述
本書是集成電路設計領域相關專業入門教材，主要介紹與集成電路設計相關的基礎知識與基本經驗。全書共分為10章，以集成電路設計基礎理論、方法、流程和工程經驗為中心，兼顧介紹與設計緊密相關的材料、結構、工藝，以及與產品化密切相關的封裝測試和設計加固等內容。教材不僅註重集成電路設計基礎理論，例如SPICE模型與運用，而且更加關註集成電路工程化設計轉化經驗講授，例如ESD設計防護，以期助力讀者在入門集成電路設計之後，能夠快速完成從基礎入門到工程實踐的角色轉換。本書可作為高等院校本科生、研究生教材或參考書，高職高專院校也可以精簡選用本教材部分內容。
目錄大綱
第1章 集成電路設計概述
1.1 集成電路發展歷程
1.2 集成電路發展特徵
1.2.1 集成電路技術發展特徵
1.2.2 集成電路產業發展特徵
1.3 集成電路設計與製造流程
1.3.1 集成電路設計流程
1.3.2 集成電路製造流程
1.3.3 集成電路技術水平主要評價指標
1.4 集成電路設計相關專業知識
1.5 集成電路設計學習相關問答
1.5.1 集成電路設計主要學習什麽
1.5.2 跨專業轉行學集成電路設計可行性
1.6 不同集成電路設計方法區別與關聯
1.6.1 “自頂向下”與“自底向上”設計方法
1.6.2 FPGA設計與ASIC設計區別
1.7 集成電路設計常用軟件簡介
習題與思考題
參考文獻
第2章 集成電路材料與工藝
2.1 集成電路基本材料
2.1.1 金屬材料
2.1.2 絕緣體材料
2.1.3 半導體材料
2.2 集成電路製造工藝
2.2.1 硅片製造準備
2.2.2 晶圓生產加工
2.2.3 晶圓裸片測試
2.2.4 晶圓劃片封裝與產品終測
2.3 集成電路器件工藝
2.3.1 雙極型工藝
2.3.2 MOS工藝
2.3.3 BiCMOS工藝
習題與思考題
參考文獻
第3章 MOSFET特性回顧與進階
3.1 MOSFET概述
3.1.1 MOSFET類型
3.1.2 MOSFET符號
3.1.3 MOSFET結構
3.1.4 MOSFET幾何參數
3.2 MOSFET閾值電壓
3.3 MOSFET伏安特性
3.3.1 NMOS管伏安特性
3.3.2 PMOS管伏安特性
3.4 MOSFET溫度特性
3.5 MOSFET噪聲特性
3.6 MOSFET高階效應
3.6.1 襯底偏置效應
3.6.2 溝道調制效應
3.6.3 亞閾值效應
3.7 MOSFET尺寸按比例縮小
……
第4章 SPICE語法與模擬基礎
第5章 HSPICE電路設計與模擬
第6章 模擬集成電路基本單元
第7章 數字集成電路基本單元
第8章 版圖設計與物理驗證
第9章 封裝測試與設計加固
第10章 模擬集成電路設計方法與實例
